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Advanced High Voltage Power Device Concepts

Advanced High Voltage Power Device Concepts
Kataloginformation
Feldname Details
Vorliegende Sprache eng
ISBN 978-1-4614-0268-8
Name Baliga, Bantval Jayant
T I T E L Advanced High Voltage Power Device Concepts
Verlagsort New York, NY
Verlag Springer New York
Erscheinungsjahr 2012
2012
Umfang Online-Ressource (XVI, 568p. 21 illus., 17 illus. in color, digital)
Reihe SpringerLink. Bücher
Notiz / Fußnoten Description based upon print version of record
Weiterer Inhalt Advanced High VoltagePower Device Concepts; Preface; Contents; Chapter 4:Silicon GTO; 4.1 Basic Structure and Operation; 4.2 5,000-V Silicon GTO; 4.2.1 Blocking Characteristics; 4.2.2 Leakage Current; 4.2.3 On-State Voltage Drop; 4.2.4 Turn-Off Characteristics; 4.2.4.1 Storage Time; 4.2.4.2 Voltage Rise-Time; 4.2.4.3 Current Fall-Time; 4.2.5 Lifetime Dependence; 4.2.6 Switching Energy Loss; 4.2.7 Maximum Operating Frequency; 4.2.8 Turn-Off Gain; 4.2.9 Buffer Layer Doping; 4.2.9.1 Switching Energy Loss; 4.2.9.2 Maximum Operating Frequency; 4.2.9.3 Turn-Off Gain. 4.2.10 Transparent Emitter Structure4.2.10.1 Switching Energy Loss; 4.2.10.2 Maximum Operating Frequency; 4.2.10.3 Turn-Off Gain; 4.3 10,000-V Silicon GTO; 4.3.1 Blocking Characteristics; 4.3.2 On-State Voltage Drop; 4.3.3 Turn-Off Characteristics; 4.3.4 Switching Energy Loss; 4.3.5 Maximum Operating Frequency; 4.3.6 Turn-Off Gain; 4.4 Reverse-Biased Safe Operating Area; 4.5 Conclusions; References; Index;
Titelhinweis Buchausg. u.d.T.ISBN: 978-1-4614-0268-8
ISBN ISBN 978-1-4614-0269-5
Klassifikation THRD
THRM
TEC046000
621.317
621.3815/287
TK7881.15
Kurzbeschreibung The devices described in "Advanced MOS-Gated Thyristor Concepts" are utilized in microelectronics production equipment, in power transmission equipment, and for very high power motor control in electric trains, steel-mills, etc. Advanced concepts that enable improving the performance of power thyristors are discussed here, along with devices with blocking voltage capabilities of 5,000-V, 10,000-V and 15,000-V. Throughout the book, analytical models are generated to allow a simple analysis of the structures and to obtain insight into the underlying physics. The results of two-dimensio
SWB-Titel-Idn 355105128
Signatur Springer E-Book
Bemerkungen Elektronischer Volltext - Campuslizenz
Elektronische Adresse $uhttp://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-0269-5
Internetseite / Link Volltext
Siehe auch Cover
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