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MAB
Paramagnetische Elektronenresonanz in Halbleitern
Kategorie
Beschreibung
036a
XA-DDDE
037b
ger
038b
eng
100
Lancaster, Gordon
303t
$aLancaster, Gordon$tElectron spin resonance in semiconductors <dt.>
331
Paramagnetische Elektronenresonanz in Halbleitern
410
Leipzig
412
Geest & Portig
425
1973
425a
1973
433
133 S. : graph. Darst.
435
22 cm
451
Technisch-physikalische Monographien ; 30
454
Technisch-physikalische Monographien
455
30
501
Literaturverz. S. 127 - 131
540z
: M 36.00 (Lw.)
700c
|QC611
700d
|18a
700g
1271751100 UP 6200
700g
1271558351 UP 9400
700g
1271616165 VG 9700
700g
1271511886 UP 2800
902s
208946993 Halbleiter
902s
209632860 Elektronenspinresonanz
907s
208946993 Halbleiter
907s
20994921X Spinresonanz
012
009940014
081
Lancaster, Gordon <P>: Electron spin resonance in semiconductors<dt.>
100
4952
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