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Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen: Simulation mit PSPICE

Kataloginformation Katalogdatensatz500446219 .

Kataloginformation
Feldname	Details
Vorliegende Sprache	ger
ISBN	978-3-658-43820-3
Name	Baumann, Peter ¬[VerfasserIn]¬
T I T E L	Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
Zusatz zum Titel	Simulation mit PSPICE
Auflage	4. Auflage
Verlagsort	Wiesbaden
Verlag	Springer Vieweg
Erscheinungsjahr	[2024]
Erscheinungsjahr	2024
Umfang	1 Online-Ressource (XI, 251 Seiten, 271 Abb., 14 Abb. in Farbe)
Titelhinweis	Erscheint auch als (Druck-Ausgabe)ISBN: 978-3-658-43820-3
ISBN	ISBN 978-3-658-43821-0
Klassifikation	TJF
	TEC008000
	621,381
	ZN 4810
Kurzbeschreibung	Halbleiterdioden -- Bipolartransistoren -- HF-Transistoren mit StreuparameternMOS-Feldeffekttransisotoren -- Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.-Leistungs-Mos-Feldeffekttransistor -- Operationsverstärker -- Optokoppler -- NTC- und PTC-Sensoren -- RGB-Farbsensor -- Piezoelektrische Summer -- Ultraschallwandler -- Gassensoren -- Ionensensitiver Feldeffekttransistor -- Silizium-Solarzellen.
2. Kurzbeschreibung	Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms ORCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit PSPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird ausgeführt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler. In einem neuen Abschnitt werden Streuparameter-Analysen zum bipolaren HF-Transistor vorgenommen. Behandelt wird ferner die Ermittlung der Modellparameter von Sensoren zur Erfassung von Temperatur, Licht, Feuchte, Kraft, Schall, Gaskonzentration und pH-Wert. Das abschließende neue Kapitel widmet sich der Parameterextraktion von multikristallinen, monokristallinen und Dünnschicht-Silizium-Solarzellen. Der Inhalt Halbleiterdioden Bipolartransistoren HF-Transistoren mit Streuparametern Sperrschicht-Feldeffekttransistoren Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor Operationsverstärker Optokoppler NTC- und PTC-Sensoren RGB-Farbsensor Piezoelektrische Summer Ultraschallwandler Gassensoren Ionensensitiver Feldeffekttransistor Silizium-Solarzellen Die Zielgruppen Studierende der Studiengänge Elektrotechnik sowie Technische und Angewandte Physik an Fachhochschulen und Technischen Universitäten Ingenieure und Physiker in der Praxis Der Autor Prof. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann arbeitete als Entwicklungsingenieur im Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), als Dozent an der Ingenieurhochschule Mittweida und als Professor an der Westsächsischen Hochschule Zwickau. An der Hochschule Bremen war er als Lehrbeauftragter für Sensorschaltungen tätig.
SWB-Titel-Idn	1888477148
Signatur	Springer E-Book
Bemerkungen	Elektronischer Volltext - Campuslizenz
Elektronische Adresse	$uhttps://doi.org/10.1007/978-3-658-43821-0
Internetseite / Link	Resolving-System

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