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Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen: Simulation mit PSPICE

Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen: Simulation mit PSPICE
Kataloginformation
Feldname Details
Vorliegende Sprache ger
ISBN 978-3-658-40956-2
Name Baumann, Peter ¬[VerfasserIn]¬
T I T E L Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
Zusatz zum Titel Simulation mit PSPICE
Auflage 3. Auflage
Verlagsort Wiesbaden
Verlag Springer Vieweg
Erscheinungsjahr [2023]
2023
Umfang 1 Online-Ressource (XIV, 217 Seiten, 225 Abb., 15 Abb. in Farbe.)
Titelhinweis Erscheint auch als (Druck-Ausgabe)ISBN: 978-3-658-40956-2
ISBN ISBN 978-3-658-40957-9
Klassifikation TJF
TEC008000
621.381
ZN 4810
Kurzbeschreibung Halbleiterdioden -- Bipolartransistoren -- Sperrschicht-Feldeffekttransistoren -- Mos-Feldeffekttransisotoren -- Leistungs-Mos-Feldeffekttransistor -- Operationsverstärker -- Optokoppler -- NTC- und PTC-Sensoren -- RGB-Farbsensor -- Piezoelektrische Summer -- Ultraschallwandler.
2. Kurzbeschreibung Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms OrCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit PSPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperr- Schicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler. Im abschließenden neuen Kapitel wird die Ermittlung der Modell- Parameter von Sensoren zur Erfassung von Temperatur, Licht, Feuchte, Kraft, Schall, Gaskonzentration und pH-Wert behandelt. Der Inhalt Halbleiterdioden Bipolartransistoren Sperrschicht-Feldeffekttransistoren MOS-Feldeffekttransisotoren Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor Operationsverstärker Optokoppler NTC- und PTC-Sensoren RGB-Farbsensor Piezoelektrische Summer Ultraschallwandler Gassensoren Ionensensitiver Feldeffekttransistor Die Zielgruppen Studierende der Studiengänge Elektrotechnik sowie Technische und Angewandte Physik an Fachhochschulen und Technischen Universitäten Ingenieure und Physiker in der Praxis Der Autor Prof. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann arbeitete als Hochschullehrer für Elektronik an den Hochschulen in Mittweida und Zwickau und war als Lehrbeauftragter für Sensorschaltungen an der Hochschule Bremen tätig.
SWB-Titel-Idn 1844863840
Signatur Springer E-Book
Bemerkungen Elektronischer Volltext - Campuslizenz
Elektronische Adresse $uhttps://doi.org/10.1007/978-3-658-40957-9
Internetseite / Link Resolving-System
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