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Fundamentals of Power Semiconductor Devices
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Kataloginformation
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Kataloginformation
Feldname
Details
Vorliegende Sprache
eng
Hinweise auf parallele Ausgaben
1667582429 Erscheint auch als (Druck-Ausgabe): ‡Baliga, B. Jayant, 1948 - : Fundamentals of power semiconductor devices
ISBN
978-3-319-93987-2
978-3-319-93989-6
Name
Baliga, B. Jayant ¬[VerfasserIn]¬
T I T E L
Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Auflage
2nd ed. 2019
Verlagsort
Cham
Verlag
Springer International Publishing
Erscheinungsjahr
2019
2019
Umfang
Online-Ressource (XXXII, 1086 p. 838 illus., 559 illus. in color, online resource)
Reihe
SpringerLink. Bücher
Titelhinweis
Erscheint auch als (Druck-Ausgabe)ISBN: 978-3-319-93987-2
Printed editionISBN: 978-3-319-93987-2
Printed editionISBN: 978-3-319-93989-6
Erscheint auch als (Druck-Ausgabe): ‡Baliga, B. Jayant, 1948 - : Fundamentals of power semiconductor devices
ISBN
ISBN 978-3-319-93988-9
Klassifikation
TJFC
TJFC
TEC008010
621.3815
TK7888.4
ZN 4800
ZN 8340
Kurzbeschreibung
This textbook provides an in-depth treatment of the physics of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Drawing upon decades of industry and teaching experience and using numerous examples and illustrative applications, the author discusses in detail the various device performance attributes that allow practicing engineers to develop energy-efficient products. Coverage includes all types of power rectifiers and transistors and analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are developed and demonstrated in each section of the book. Throughout the book, emphasis is placed on deriving simple analytical expressions that describe the underlying physics and enable representation of the device electrical characteristics. This treatment is invaluable for teaching a course on power devices because it allows the operating principles and concepts to be conveyed with quantitative analysis. The treatment focuses on silicon devices but includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices. This new edition also includes a chapter on the impact of power semiconductor devices on energy savings and reduction of carbon emissions. Provides comprehensive textbook for courses on physics of power semiconductor devices; Includes extensive analytical formulations for design and analysis of device structures; Uses numerical simulation examples in every section to elucidate the operating physics and validate the models; Analyzes device performance attributes that enable development of real, energy-efficient products; Includes numerous exercises in each chapter to reinforce concepts introduced; Includes a chapter on the impact of power semiconductor devices on energy savings and reduction of carbon emissions
2. Kurzbeschreibung
Introduction -- Material Properties and Transport Physics -- Breakdown Voltage -- Schottky Rectifiers -- P-i-N Rectifiers -- Power MOSFETs -- Bipolar Junction Transistors -- Thyristors -- Insulated Gate Bipolar Thyristors -- Synopsis
1. Schlagwortkette
Leistungselektronik
Leistungshalbleiter
ANZEIGE DER KETTE
Leistungselektronik -- Leistungshalbleiter
SWB-Titel-Idn
511575785
Signatur
Springer E-Book
Bemerkungen
Elektronischer Volltext - Campuslizenz
Elektronische Adresse
$uhttps://doi.org/10.1007/978-3-319-93988-9
Internetseite / Link
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