- Hauptmenü-

Katalogdatenanzeige

Semiconductor Power Devices: Physics, Characteristics, Reliability

Kataloginformation Katalogdatensatz500273082 .

Kataloginformation
Feldname	Details
Vorliegende Sprache	eng
ISBN	978-3-319-70916-1
Name	Lutz, Josef ¬[VerfasserIn]¬
Name	Schlangenotto, Heinrich ¬[VerfasserIn]¬
Name ANZEIGE DER KETTE	Schlangenotto, Heinrich ¬[VerfasserIn]¬
Name	Scheuermann, Uwe ¬[VerfasserIn]¬
T I T E L	Semiconductor Power Devices
Zusatz zum Titel	Physics, Characteristics, Reliability
Auflage	2nd ed. 2018
Verlagsort	Cham
Verlag	Springer International Publishing
Erscheinungsjahr	2018
Erscheinungsjahr	2018
Umfang	Online-Ressource (XIX, 714 p. 480 illus., 132 illus. in color, online resource)
Reihe	SpringerLink. Bücher
Notiz / Fußnoten	Includes bibliographical references and index
Titelhinweis	Erscheint auch als (Druck-Ausgabe)ISBN: 978-3-319-70916-1
ISBN	ISBN 978-3-319-70917-8
Klassifikation	TJFC
	TEC008010
	621.3815
	TK7888.4
Kurzbeschreibung	Power Semiconductor Devices – Key Components for Efficient Electrical Energy Conversion Systems -- Semiconductor Properties -- pn-Junctions -- Short Introduction to Power Device Technology -- pin-Diodes -- Schottky Diodes -- Bipolar Transistors -- Thyristors -- MOS Transistors -- IGBTs -- Packaging and Reliability of Power Devices -- Destructive Mechanisms in Power Devices -- Power Device-Induced Oscillations and Electromagnetic Disturbances -- Power Electronic System Integration.
2. Kurzbeschreibung	This book discusses semiconductor properties, pn-junctions and the physical phenomena for understanding power devices in depth. Working principles of state-of-the-art power diodes, thyristors, MOSFETs and IGBTs are explained in detail, as well as key aspects of semiconductor device production technology. Special peculiarities of devices from the ascending semiconductor materials SiC and GaN are discussed. This book presents significant improvements compared to its first edition. It includes chapters on packaging and reliability. The chapter on semiconductor technology is written in a more in-depth way by considering 2D- and high concentration effects. The chapter on IGBTs is extended by new technologies and evaluation of its potential. An extended theory of cosmic ray failures is presented. The range of certain important physical relationships, doubted in recent papers for use in device simulation, is cleared and substantiated in this second edition.
1. Schlagwortkette	Leistungshalbleiter
ANZEIGE DER KETTE	Leistungshalbleiter
SWB-Titel-Idn	500977380
Signatur	Springer E-Book
Bemerkungen	Elektronischer Volltext - Campuslizenz
Elektronische Adresse	$uhttp://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8
Internetseite / Link	Volltext
Siehe auch	Volltext

ISBD-Anzeige Katalogdatensatz500273082

Kategorien-Anzeige Katalogdatensatz500273082

Titel zur Titelsammlung hinzufügen Katalogdatensatz500273082

Kataloginformation500273082 Datensatzanfang . Kataloginformation500273082 Seitenanfang .

Titel vormerken Katalogdatensatz500273082

Vollanzeige Katalogdaten

Auf diesem Bildschirm erhalten Sie Katalog- und Exemplarinformationen zum ausgewählten Titel.

Im Bereich Kataloginformation werden die bibliographischen Details angezeigt. Per Klick auf Hyperlink-Begriffe wie Schlagwörter, Autoren, Reihen, Körperschaften und Klassifikationen können Sie sich weitere Titel des gewählten Begriffes anzeigen lassen.

Der Bereich Exemplarinformationen enthält zum einen Angaben über den Standort und die Verfügbarkeit der Exemplare. Zum anderen haben Sie die Möglichkeit, ausgeliehene Exemplare vorzumerken oder Exemplare aus dem Magazin zu bestellen.