| Vorliegende Sprache |
ger |
| Hinweise auf parallele Ausgaben |
370081145 Buchausg. u.d.T.: ‡Lutz, Josef, 1954 - : Halbleiter-Leistungsbauelemente |
| ISBN |
978-3-642-29795-3 |
| Name |
Lutz, Josef |
| T I T E L |
Halbleiter-Leistungsbauelemente |
| Zusatz zum Titel |
Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit |
| Weitere Titel |
In weiten Teilen aufbauend auf dem Manuskript einer Vorlesung von Heinrich Schlangenotto, gehalten an der Technischen Universität Darmstadt, sowie auf Arbeiten von Uwe Scheuermann |
| Auflage |
2. Aufl. 2012 |
| Verlagsort |
Berlin [u.a.] |
| Verlag |
Springer Vieweg |
| Erscheinungsjahr |
2012 |
| 2012 |
| Umfang |
Online-Ressource (XXII, 383 S. 298 Abb, digital) |
| Reihe |
SpringerLink. Bücher |
| Weiterer Inhalt |
Vorbemerkung; Vorbemerkung zur zweiten deutschen Auflage; Inhaltsverzeichnis; Verzeichnis häufig verwendeter Symbole; Kapitel-1; Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente; Kapitel-2; Halbleiterphysikalische Grundlagen; 2.1 Eigenschaften der Halbleiter, physikalische Grundlagen; 2.1.1 Kristallgitter ; 2.1.2 Bandstruktur und Ladungsträger ; 2.1.3 Der dotierte Halbleiter ; 2.1.4 Majoritätsträger und Minoritätsträger ; 2.1.5 Beweglichkeiten ; 2.1.6 Driftgeschwindigkeit bei hohen Feldern ; 2.1.7 Diffusion freier Ladungsträger. 2.1.8 Generation, Rekombination und Trägerlebensdauer 2.1.9 Stoßionisation ; 2.1.10 Grundgleichungen der Halbleiter-Bauelemente ; 2.1.11 Erweiterte Grundgleichungen ; 2.1.12 Neutralität ; 2.2 pn-Übergänge ; 2.2.1 Der stromlose pn-Übergang ; 2.2.2 Strom-Spannungs-Kennlinie des pn-Übergangs ; 2.2.3 Sperrverhalten des pn-Übergangs ; 2.3 Kurzer Exkurs in die Herstellungstechnologie ; 2.3.1 Kristallzucht ; 2.3.2 Neutronendotierung zur Einstellung der Grunddotierung ; 2.3.3 Epitaxie ; 2.3.4 Diffusion ; 2.3.5 Ionenimplantation ; 2.3.6 Oxidation und Maskierung ; 2.3.7 Randstrukturen. 2.3.8 Passivierung 2.3.8 Rekombinationszentren ; Kapitel-3; Halbleiterbauelemente; 3.1 pin-Dioden; 3.1.1 Aufbau der pin-Diode; 3.1.2 Kennlinie der pin-Diode; 3.1.3 Dimensionierung der pin-Diode; 3.1.4 Durchlassverhalten; 3.1.5 Berechnung der Durchlassspannung; 3.1.6 Emitter-Rekombination und effektive Trägerlebensdauer; 3.1.7 Emitter-Rekombination und Durchlassspannung; 3.1.8 Temperaturabhängigkeit der Durchlasskennlinie; 3.1.9 Relation von gespeicherter Ladung und Durchlassspannung; 3.1.10 Einschaltverhalten von Leistungsdioden. 3.1.11 Definitionen zum Ausschaltverhalten von Leistungsdioden3.1.12 Durch Leistungsdioden erzeugte Schaltverluste; 3.1.13 Vorgang beim Abschalten von Leistungsdioden; 3.1.14 Moderne schnelle Dioden mit optimiertem Schaltverhalten; 3.1.14.1 Dioden mit Dotierungsstufe in der niedrig dotierten Zone; 3.1.14.2 Dioden mit Anodenstrukturen zur Verbesserung des Abschaltverhaltens; 3.1.14.3 Die EMCON-Diode; 3.1.14.4 Die CAL-Diode; 3.1.14.5 Die Hybrid-Diode; 3.1.14.6 Die Tandem-Diode; 3.1.15 MOS-gesteuerte Dioden; 3.1.16 Ausblick; 3.2 Schottky-Dioden; 3.2.1 Zur Physik des Metall-Halbleiter-Übergangs. 3.2.2 Kennliniengleichung des Schottky-Übergangs3.2.3 Aufbau von Schottky-Dioden; 3.2.4 Ohm'scher Spannungsabfall des unipolaren Bauelements; 3.2.5 Schottky-Dioden aus SiC; 3.3 Bipolare Transistoren; 3.3.1 Funktionsweise des Bipolartransistors; 3.3.2 Aufbau des Leistungstransistors; 3.3.3 Kennlinie des Leistungstransistors; 3.3.4 Sperrverhalten des Leistungstransistors; 3.3.5 Stromverstärkung des Bipolartransistors; 3.3.6 Basisaufweitung, Feldumverteilung und zweiter Durchbruch; 3.3.7 Grenzen des Silizium-Bipolartransistors; 3.3.8 SiC Bipolartransistoren; 3.4 Thyristoren. 3.4.1 Aufbau und Funktionsweise |
| Titelhinweis |
Buchausg. u.d.T.: ‡Lutz, Josef, 1954 - : Halbleiter-Leistungsbauelemente |
| ISBN |
ISBN 978-3-642-29796-0 |
| Klassifikation |
TJFC |
| TEC008010 |
| 621.3815 |
| TK7888.4 |
| ZN 4800 |
| Kurzbeschreibung |
Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente Grundlagen -- Halbleiterbauelemente -- Aufbau- und Verbindungstechnik von Leistungsbauelementen -- Zerstörungsmechanismen in Leistungsbauelementen -- Durch Bauelemente verursachte Schwingungseffekte und elektromagnetische Störungen -- Leistungselektronische Systeme -- Sachwortregister. |
| 2. Kurzbeschreibung |
Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet. Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden. |
| 1. Schlagwortkette |
Leistungshalbleiter |
| 1. Schlagwortkette ANZEIGE DER KETTE |
Leistungshalbleiter |
| 2. Schlagwortkette |
Leistungshalbleiter |
| ANZEIGE DER KETTE |
Leistungshalbleiter |
| SWB-Titel-Idn |
376061235 |
| Signatur |
Springer E-Book |
| Bemerkungen |
Elektronischer Volltext - Campuslizenz |
| Elektronische Adresse |
$uhttp://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-29796-0 |
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