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Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen: Simulation mit PSPICE

Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen: Simulation mit PSPICE
Kataloginformation
Feldname Details
Vorliegende Sprache ger
Hinweise auf parallele Ausgaben 372379060 Buchausg. u.d.T.: ‡Baumann, Peter: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
ISBN 978-3-8348-2494-3
Name Baumann, Peter
T I T E L Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
Zusatz zum Titel Simulation mit PSPICE
Verlagsort Wiesbaden
Verlag Springer Vieweg
Erscheinungsjahr 2012
2012
Umfang Online-Ressource (IX, 135 S. 153 Abb, digital)
Reihe SpringerLink. Bücher
Notiz / Fußnoten Description based upon print version of record
Weiterer Inhalt 1.5 Modellparameter der Z-Diode 1N 7501.5.1 Z-Kennlinie und differentieller Z-Widerstand; 1.5.2 Extraktion von BV und IBV; 2 Bipolartransistoren; 2.1 Großsignalmodell; 2.2 Extraktion statischer Modellparameter; 2.2.1 Kennlinien bei UCB = 0; 2.2.2 Parameterextraktion von NF, IS, NE und ISE; 2.2.3 Abschätzung von BF und IKF; 2.2.4 Ermittlung der EARLY-Spannung VAF; 2.2.5 Ermittlung des Kollektorbahnwiderstandes RC; 2.3 Extraktion dynamischer Modellparameter; 2.3.1 Kapazitätsparameter; 2.3.2 Kleinsignalmodell; 2.3.3 Maximale stabile Leistungsverstärkung. 2.3.4 Extraktion von CJC, RB und TF über die Leistungsverstärkungen2.3.5 Modellparameter zur Transitfrequenz; 3 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren; 3.1 Großsignalmodell; 3.2 Extraktion von Modellparametern aus Kennlinien; 3.2.1 Ermittlung von Schwellspannung und Transkonduktanz; 3.2.2 Ermittlung der Bahnwiderstände; 3.3 Kleinsignalmodell; 3.4 Maximale stabile Leistungsverstärkung; 3.4.1 Berechnung; 3.4.2 Simulationsschaltungen zur Leistungsverstärkung; 3.4.3 Extraktion von Modellparametern; 3.5 Ermittlung des Funkelrauschkoeffizienten; 4 MOS-Feldeffekttransistoren; 4.1 Großsignalmodell. 4.2 Extraktion von Modellparametern aus Kennlinien4.3 Kleinsignalmodelle von MOSFET; 4.4 Maximale stabile Leistungsverstärkung; 4.4.1 Berechnung für UBS = 0; 4.4.2 Simulationsschaltungen zur Leistungsverstärkung; 4.4.3 Extraktion von Modellparametern über vps; 5 Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor; 5.1 Modellparameter des Leistungs-MOSFET IRF 150; 5.2 Extraktion der Modellparameter; 5.2.1 Statische Modellparameter; 5.2.2 Vierpol-Kapazitäten; 5.2.3 Maximale stabile Leistungsverstärkung; 6 Operationsverstärker; 6.1 Aufbau und Hauptkenngrößen; 6.2 Gleichstrom-Modelle. 6.2.1 Analysen zu den Makromodellen6.2.2 Erzeugung der linearen Gleichstrom-Modelle; 6.3 Kleinsignal-HF-Modelle; 6.3.1 Frequenzanalysen am Makromodell; 6.3.2 Erzeugung der HF-Modelle; 7 Optokoppler; 7.1 Prinzipschaltung und elektrische Kenngrößen; 7.2 Parameterextraktion zur LED; 7.2.1 Extraktion von Parametern aus Strom-Spannungs-Kennlinien; 7.2.2 Extraktion von Parametern aus der Kapaziätskennlinie; 7.2.3 Extraktion der Transitzeit aus der Sperrerholungszeit; 7.3 Parameterextraktion zum Fototransistor; 7.3.1 Extraktion von Parametern aus StromSpannungs-Kennlinien. 7.3.2 Extraktion der Early-Spannung aus dem Ausgangskennlinienfeld. Vorwort; Inhaltsverzeichnis; 1 Halbleiterdioden; 1.1 Dioden-Modell; 1.2 Statische Modellparameter der Schaltdiode 1N 4148; 1.2.1 Simulation der Durchlasskennlinie; 1.2.2 Parameterextraktion über MODEL EDITOR; 1.2.3 Auswertung mit Gleichungen; 1.3 Transitzeit der Schaltdiode 1N 4148; 1.3.1 Simulationsschaltung; 1.3.2 Extraktion der Transitzeit aus der Sperrerholungszeit; 1.4 Modellparameter der Kapazitätsdiode; 1.4.1 Kapazitätskennlinie; 1.4.2 Parameterextraktion über MODEL EDITOR; 1.4.3 Rechnerische Auswertung; 1.4.4 Grafisches Ermittlungsverfahren; 1.4.5 Simulation der Kapazitätskennlinie
Titelhinweis Buchausg. u.d.T.: ‡Baumann, Peter: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
ISBN ISBN 978-3-8348-2495-0
Klassifikation TEC008070
TJF
TEC008000
621.381
TK7800-8360
TK7874-7874.9
ZN 5410
ZN 5405
Kurzbeschreibung Halbleiterdioden -- Bipolartransistoren -- Sperrschicht-Feldeffekttransistoren -- Mos-Feldeffekttransisotoren -- Leistungs-Mos-Feldeffekttransistor -- Operationsverstärker -- Optokoppler.
2. Kurzbeschreibung Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms OrCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, Z-Diode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler. Der Inhalt Halbleiterdioden – Bipolartransistoren – Sperrschicht-Feldeffekttransistoren – Mos-Feldeffekttransisotoren – Leistungs-Mos-Feldeffekttransistor – Operationsverstärker – Optokoppler Die Zielgruppen Studierende der Studiengänge Elektrotechnik sowie Technische und Angewandte Physik an Fachhochschulen und Technischen Universitäten Ingenieure und Physiker in der Praxis Der Autor Prof. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann ist Lehrbeauftragter für das Modul Elektronik an der Hochschule Bremen.
1. Schlagwortkette Halbleiterbauelement
SPICE <Programm>
1. Schlagwortkette ANZEIGE DER KETTE Halbleiterbauelement -- SPICE
2. Schlagwortkette Halbleiterbauelement
SPICE <Programm>
ANZEIGE DER KETTE Halbleiterbauelement -- SPICE
SWB-Titel-Idn 372049702
Signatur Springer E-Book
Bemerkungen Elektronischer Volltext - Campuslizenz
Elektronische Adresse $uhttp://dx.doi.org/10.1007/978-3-8348-2495-0
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