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Integrationstechniken für Feldeffekttransistoren mit halbleitenden Nanopartikeln: Einzel- und Multipartikel-Bauelemente

Kataloginformation Katalogdatensatz500163594 .

Kataloginformation
Feldname	Details
Vorliegende Sprache	ger
Hinweise auf parallele Ausgaben	348115083 Buchausg. u.d.T.: ‡Wolff, Karsten: Integrationstechniken für Feldeffekttransistoren mit halbleitenden Nanopartikeln
ISBN	978-3-8348-1767-9
Name	Wolff, Karsten
T I T E L	Integrationstechniken für Feldeffekttransistoren mit halbleitenden Nanopartikeln
Zusatz zum Titel	Einzel- und Multipartikel-Bauelemente
Verlagsort	Wiesbaden
Verlag	Vieweg+Teubner Verlag / Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, Wiesbaden
Erscheinungsjahr	2011
Erscheinungsjahr	2011
Umfang	Online-Ressource (XXIV, 228S. 110 Abb, digital)
Reihe	SpringerLink. Bücher
Notiz / Fußnoten	Description based upon print version of record
Weiterer Inhalt	Danksagung; Inhaltsverzeichnis; Abbildungsverzeichnis; Tabellenverzeichnis; Abkürzungsverzeichnis; Formelverzeichnis und Kurznotationen; 1 Einleitung; 1.1 Zielsetzung; 1.2 Gliederung; 2 Grundlagen, Nanopartikel und deren Eigenschaften; 2.1 Ausgewählte physikalische Grundlagen; 2.1.1 Raumladungszone; 2.1.2 Metall-Halbleiter-Grenz.äche; 2.1.3 Ladungsträgertransportmechanismen; Feldunterstützte thermische Emission (FRENKEL-POOLE-Effekt); Feldunterstützter Tunneleffekt (FOWLER-NORDHEIM-Tunneleffekt); Raumladungsbegrenzter Strom; 2.2 Nanopartikel und deren Eigenschaften; 2.2.1 Synthese. Gasphasensynthese im Heißwand- und FlammenreaktorGasphasensynthese im Mikrowellenreaktor; 2.2.2 Dispergierprozess und Nanopartikeldispersionen; 2.2.3 Physikalische und elektrische Eigenschaften von Nanopartikeln; Allgemeine Eigenschaften von Nanopartikeln; Charakterisierung der verwendeten Nanopartikel; 3 Transistoraufbau und -funktionsweise; 3.1 Dünn.lmtransistoren; 3.2 Einzelpartikeltransistoren; 3.3 Funktionsweise; 3.4 Parameterextraktion; Schwellenspannung; Ladungsträgerbeweglichkeit; Strommodulation; Subschwellenspannungsstromanstieg; 4 Integrationstechniken. 4.1 Abscheidungsde.nierte Nanostrukturierungstechnik4.2 Materialien der Opferschichten; 4.2.1 Fotolack AZ 5214E; 4.2.2 Fotolack AZ MiR 701; 4.2.3 Schutzlack Bectron; 4.3 Prozesstechnik zum Kantenabscheideverfahren; 4.3.1 Siliziumdioxid-PECVD mit reduzierter Prozesstemperatur; 4.3.2 Verfahren zur selektiven Entfernung des Nanospacers; RIE-Verfahren mit angewinkelter Elektrodenkonfiguration; Ultraschallunterstütze Nassätzung; Rein mechanische Entfernung im Ultraschallbad; 4.4 Abscheidung von Nanopartikeln; 4.4.1 Herstellung nanopartikulärer Schichten; Dispersionzusätze. Polyoxyalkenalkylether (NCW-1001)Propylenglycol; TEGO Dispers 750W; TEGO Wet 280; Zusammenfassung; Soft-bake und Einfluss des Hard-bake-Schritts; 4.4.2 Abscheidung von Einzelpartikeln; 5 Feldeffekttransistoren mit Silizium-Nanopartikeln; 5.1 Dünnfilmtransistor; Bauelementintegration; Elektrische Transistorparameter; Fazit; 5.2 Einzelpartikeltransistoren; 5.2.1 Inverted Coplanar-Architektur; Bauelementintegration; Elektrische Transistorparameter nach der Herstellung; Elektrische Transistorparameter nach Temperung der Bauelemente; Transistor mit Dispergieradditiv Tego Dispers 750W; Fazit. 5.2.2 Inverted Staggered-ArchitekturBauelementintegration; Transistoren mit undotierten Silizium-Nanopartikeln; Transistoren mit Phosphor-dotierten Silizium-Nanopartikeln; Transistoren mit Bor-dotierten Silizium-Nanopartikeln; Vergleich; 5.2.3 Degradationsverhalten; 5.3 Zusammenfassung und Bewertung von Silizium-Nanopartikel-Transistoren; 6 Feldeffekttransistoren mit Zinkoxid-Nanopartikeln; 6.1 Ein.uss der Umgebungsatmosphäre auf das Transistorverhalten; 6.2 Auswahl des Kontaktmetalls für die Drainund Source-Elektroden; 6.3 Dünn.lmtransistoren mit Rückseiten-Gate-Elektrode. 6.3.1 Inverted Coplanar-Architektur
Titelhinweis	Buchausg. u.d.T.: ‡Wolff, Karsten: Integrationstechniken für Feldeffekttransistoren mit halbleitenden Nanopartikeln
ISBN	ISBN 978-3-8348-8271-4
Klassifikation	THR
	TEC007000
	TJF
	TEC008000
	621.381
	621.3815284
	TK1-9971
	ZN 4870
	UP 7550
Kurzbeschreibung	Um die Produktionskosten zu reduzieren und neue Anwendungsgebiete zu erschließen, wird in den letzten Jahren zusehends die Herstellung von integrierten Schaltungen mittels Drucktechniken angestrebt. Eine aussichtsreiche Materialklasse für den Einsatz in gedruckten Halbleiterbauelementen stellen anorganische Nanopartikel dar. Insbesondere eignen sich hierfür halbleitende Nanopartikel aufgrund der theoretisch hohen Ladungsträgerbeweglichkeit und der Materialverfügbarkeit. Karsten Wolff untersucht Integrationstechniken für die Verwendung von Halbleiternanopartikeln in Feldeffekttransistoren am Beispiel von Silizium- und Zinkoxid-Partikeln. Dabei betrachtet er sowohl klassische Dünnfilmtransistoren, nanoskalige Einzelpartikeltransistoren als auch Inverterschaltungen. Im Fokus steht das elektrische Verhalten der Bauelemente in Abhängigkeit von der Prozessführung und der Transistorarchitektur.
1. Schlagwortkette	Feldeffekttransistor
1. Schlagwortkette	Nanoelektronik
1. Schlagwortkette ANZEIGE DER KETTE	Feldeffekttransistor -- Nanoelektronik
2. Schlagwortkette	Feldeffekttransistor
	Nanopartikel
	Halbleitertechnologie
ANZEIGE DER KETTE	Feldeffekttransistor -- Nanopartikel -- Halbleitertechnologie
SWB-Titel-Idn	348697562
Signatur	Springer E-Book
Bemerkungen	Elektronischer Volltext - Campuslizenz
Elektronische Adresse	$uhttp://dx.doi.org/10.1007/978-3-8348-8271-4
Internetseite / Link	Volltext
Siehe auch	Volltext
Siehe auch	Cover

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