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Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors

Kataloginformation Katalogdatensatz500128328 .

Kataloginformation
Feldname	Details
Vorliegende Sprache	eng
Hinweise auf parallele Ausgaben	277080878 Buchausg. u.d.T.: ‡Advanced gate stacks for high-mobility semiconductors
ISBN	978-3-540-71490-3
Name	Dimoulas, Athanasios
Name	Gusev, Evgeni
Name ANZEIGE DER KETTE	Gusev, Evgeni
Name	Heyns, Marc
Name	McIntyre, Paul C.
T I T E L	Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Verlagsort	Berlin, Heidelberg
Verlag	Springer Berlin Heidelberg
Erscheinungsjahr	2007
Erscheinungsjahr	2007
Umfang	Online-Ressource (digital)
Reihe	Advanced Microelectronics ; 27
Titelhinweis	Buchausg. u.d.T.: ‡Advanced gate stacks for high-mobility semiconductors
ISBN	ISBN 978-3-540-71491-0
Klassifikation	TEC008070
	TJF
	TEC008000
	621.381
	TK7800-8360
	TK7874-7874.9
	ZN 3460
	ZN 4960
	UP 4600
Kurzbeschreibung	Strained-Si CMOS Technology -- High Current Drivability MOSFET Fabricated on Si(110) Surface -- Advanced High-Mobility Semiconductor-on-Insulator Materials -- Passivation and Characterization of Germanium Surfaces -- Interface Engineering for High-? Ge MOSFETs -- Effect of Surface Nitridation on the Electrical Characteristics of Germanium High-?/Metal Gate Metal-Oxide-Semiconductor Devices -- Modeling of Growth of High-? Oxides on Semiconductors -- Physical, Chemical, and Electrical Characterization of High-? Dielectrics on Ge and GaAs -- Point Defects in Stacks of High-? Metal Oxides on Ge: Contrast with the Si Case -- High ? Gate Dielectrics for Compound Semiconductors -- Interface Properties of High-? Dielectrics on Germanium -- A Theoretical View on the Dielectric Properties of Crystalline and Amorphous High-? Materials and Films -- Germanium Nanodevices and Technology -- Opportunities and Challenges of Germanium Channel MOSFETs -- Germanium Deep-Submicron p-FET and n-FET Devices, Fabricated on Germanium-On-Insulator Substrates -- Processing and Characterization of III–V Compound Semiconductor MOSFETs Using Atomic Layer Deposited Gate Dielectrics -- Fabrication of MBE High-? MOSFETs in a Standard CMOS Flow.
2. Kurzbeschreibung	Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore’s law? At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobility semiconductor materials (e.g. strained Si, alternative orientation substrates, Ge or III-V compounds) could help overcome the obstacles since they offer performance enhancement. There are several concerns though. Do we know how to make complex engineered substrates (e.g. Germanium-on-Insulator)? Which are the best interface passivation methodologies and (high-k) gate dielectrics on Ge and III-V compounds? Can we process these materials in short channel transistors using flows, toolsets and know how similar to that in Si technology? How do these materials and devices behave at the nanoscale? The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any close to a viable Ge and III-V MOS technology.
1. Schlagwortkette	MOS
	High-k-Dielektrikum
	Germanium
	Drei-Fünf-Halbleiter
	Aufsatzsammlung
ANZEIGE DER KETTE	MOS -- High-k-Dielektrikum -- Germanium -- Drei-Fünf-Halbleiter -- Aufsatzsammlung
SWB-Titel-Idn	280565909
Signatur	Springer E-Book
Bemerkungen	Elektronischer Volltext - Campuslizenz
Elektronische Adresse	$uhttp://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-71491-0
Internetseite / Link	Volltext
Siehe auch	Inhaltsverzeichnis
Siehe auch	Kapitel 1
Siehe auch	Einführung/Vorwort
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